Preparation of InSb nanocrystals embedded in SiO2 thin films

InSb nanocrystals embedded in SiO₂ thin films were prepared by rf magnetron cosputtering technique. THe observation by transmission electron microscope showed that InSb nanocrystals dispersed uniformly in SiO₂ matrices. InSb nanocrystals with different sizes can be obtained by changing the annealing condition. The average size of InSb nanocrystals depended on annealing temperature and time, but not on the t_1/3 rules. X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction were also applied to the analyses of the composite thin films.     

量子盒的弹道电导

应用量子力学波函数阻抗匹配方法,作者研究了准一维无相互作用电子气通过量子盒的弹道传播。在通过量子盒时,电子除受到盒边界的弹性散射外是自由的。作者计算了量子盒电导作为盒长度和宽度的函数。计算结果表明,当长度较短时,电导显示带有规则脉冲振荡的确定的量子化台阶;随着长度的增加,电导曲线逐渐趋于无规振荡的图样。     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。     

酉变换与量子系统超收敛微扰的简化推导

如同无限小正则变换服从正则方程一样,经无限小酉变换后的态矢量服从以生成元为哈密顿量,以小参数为“时间”的薛定谔方程,直接用酉变换给出量子系统超收敛微扰的简化推导。     

只用两个偏振态的量子密码术方案

本文提出一种基于海森堡测不准关系的、只用两个非正交偏振态光子的量子密码术新方案,对其原理和防窃听性进行了详细的讨论,并和国际上流行的几种方案进行了比较。     

小尺寸金属系统电导率的计算

运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。     

分形子-电子相互作用导致的电阻率

利用推广的Hnsch-Mahan量子输运方程,求解了分形子-电子相互作用系统的电阻率.克服了电阻率的低温发散困难,给出了电阻率反常处的温度.     

用非对称零标架研究Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞Dirac粒子的热辐射

用一种非对称零标架研究了Vaidya-Bonner-de Sitter黑洞的Dirac方程，对所得方程的各项系数进行了讨论，得出了黑体谱、Hawking温度与视界表面引力．     

量子通讯中的十个数学结果

本文利用组合计数理论、不定方程理论、数列和级数知识，采用构造证明的方法研究了量子计数问题，解决了量子通讯中的十个教学问题。这些结果即将在其他学科中得到广泛的和深入的应用。     

InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能

利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，研究了InxGa1-xN／GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律．结果表明，随着量子点高度L和半径R的增加，结合能降低，随着量子点中In含量的增加，激子的结合能增大．对给定体积的量子点，激子结合能存在一最大值，此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内．对不同体积的量子点，最大值的位置在量子点高度L=1．7nm附近取得.